Driver circuit for gallium nitride (GaN) heterojunction field effect transistors (HFETs)
(2011) [Patent]
Seite(n): 24 S.
Autorinnen und Autoren
Autorinnen und Autoren
Bakos, Jason D.
Monti, Antonello
Riva, Marco
Wang, Bo
Identifikationsnummern
- REPORT NUMBER: RWTH-CONV-007752